英諾賽科推出頂部散熱Dual-Cool GaN，顯著提升系統(tǒng)熱性能

發(fā)布日期：2025-07-10   瀏覽量：3649

前言（該信息來源于充電頭網(wǎng)）

早在今年2月，英諾賽科便宣布率先量產(chǎn)采用頂部散熱Dual-Cool En-FCLGA封裝的100V氮化鎵器件INN100EA035A 。近日，英諾賽科繼續(xù)推出INN100EA050DAD和INN100EA070DAD兩款新品，且沿用了INN100EA035A所采用的Dual-Cool En-FCLGA封裝形式。

據(jù)了解，上述兩款新品所采用的Dual-Cool En-FCLGA封裝是業(yè)界首款硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)替代品，可有效提升效率和功率密度。在36V至80V的輸入條件下，系統(tǒng)功率損耗可降低50%以上，為太陽能逆變、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域帶來了重大突破。

英諾賽科Dual-Cool En-FCLGA封裝GaN

當(dāng)前，隨英諾賽科INN100EA050DAD和INN100EA070DAD量產(chǎn)出貨，英諾賽科Dual-Cool氮化鎵器件家族已經(jīng)趨于完善，逐步為Ai服務(wù)器、太陽能逆變以及儲(chǔ)能系統(tǒng)提供低損耗、高功率密度的全新解決方案。

英諾賽科的Dual-Cool系列氮化鎵的主要優(yōu)勢(shì)在于其采用了先進(jìn)的Dual-Cool En-FCLGA封裝，傳統(tǒng)單冷卻封裝因熱路徑單一，易形成局部熱點(diǎn)，而En-FCLGA封裝由于雙面散熱架構(gòu)的引入，通過頂部與底部的協(xié)同散熱設(shè)計(jì)，較同類單面散熱方案提升65%的導(dǎo)熱效率。這一改進(jìn)直接降低了器件的工作結(jié)溫，顯著提升系統(tǒng)熱性能，有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

Dual-Cool系列氮化鎵的另一大亮點(diǎn)是其先進(jìn)的100V E-mode GaN 技術(shù)。該技術(shù)賦予了產(chǎn)品極低的柵極電荷以及更低的導(dǎo)阻。同時(shí)，其占板面積非常小，能夠有效節(jié)省PCB空間，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化的需求。

INN100EA050DAD和INN100EA070DAD兩款新品的導(dǎo)阻分別為5mΩ和7mΩ，支持雙面散熱，可直接P2P替代Source down MOS，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性且對(duì)PCB Layout友好，垂直電路路徑設(shè)計(jì)最小化了PCB寄生電阻；在36V~80V輸入條件下，系統(tǒng)效率大于95.5%，展現(xiàn)出更優(yōu)秀的性能，為AI服務(wù)器電源、太陽能MPPT、儲(chǔ)能及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供了全新功率器件解決方案。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

目前，英諾賽科頂部散熱Dual-Cool En-FCLGA封裝系列的INN100EA035A、INN100EA050DAD和INN100EA070DAD均已成功量產(chǎn)，并實(shí)現(xiàn)了批量訂單的交付。可見英諾賽科在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力得到了進(jìn)一步的提升，為行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入了新的動(dòng)力。

英諾賽科是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)，致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造。公司擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地，產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能處于國際先進(jìn)水平。公司氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應(yīng)用場(chǎng)景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項(xiàng)專利及專利申請(qǐng)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。

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